mosfet漏源电压谷底时刻微分检测法
可以同时测量mos晶体管的栅源电压和/电压。mos晶体管的栅源电压和漏源电压可以同时测量吗？是的，判断mosfet类型和电压极性的规律性mosfet类型和电压极性的规律性:可以利用内部寄生二极管进行测试，igbt1使用中的几个常识问题？IGBT开关基本知识IGBT(绝缘栅型功率晶体管)是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅型场效应晶体管)组成的复合型全控压驱动电力电子器件。1、igbt使用中的几个常识性问题1。IGBT开关基本知识IGBT(绝缘栅型功率晶体管)是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅型场...
更新时间：2024-04-04标签： 检测法mosfet漏源微分谷底mosfet漏源电压谷底时刻微分检测法 全文阅读