2.Flash: Flash 存储器(英文:flashmemory)，是一种电可擦可编程只读存储器，在操作过程中可以多次擦除或写入。norflash、FLASH存储器FlashMemory的英文名是FLASH memory，是一种存储器件，也是一种非易失性存储器。
转载自华为麒麟官方:日常使用手机时，经常会听到“存储”这个词，保存照片和视频，接收数据，下载app等等。很多手机应用场景都与存储密切相关。同时，存储也成为了我们买手机时的重要衡量标准。4/8GB、128/256GB等不同存储容量对手机的体验影响很大。由此可见，存储器对于手机来说非常重要，那么存储器是什么呢？你知道它有哪些种类吗？
RAM:随机存取存储器 (Andomaccess内存)，即手机中的内存是直接与芯片中的CPU交换数据的存储器。RAM易失性存储器，即一旦断电，存储的数据将全部丢失。RAM的优点是可以随时读写，读写速度很快。它通常用于临时存储正在运行的程序和临时数据。NAND:NANDFlash是手机中的闪存，属于非易失性存储器，掉电后其存储的数据不会丢失。
atmega 8参数atmega 8存储器flash rom 8 kbs ram 1024 beeeprom 512 bate mega 8性能参数特征工作频率08MHz(ATmega8L)016MHz(ATmega8)。工作电压2 . 75 . 5v(atmega8 L)4 . 55 . 5v(atmega 8)I/O端口，23个16位定时器/计数器，18位定时器/计数器，2个PWM 3 RTCyespi 1 UART 1 twiyes 10位ADC6(DIP)8(TQFP/ MLF)模拟比较器1WDT1(带独立片内振荡器)外部中断2睡眠模式五个硬件乘法器是片内振荡器是引脚电平中断/唤醒功能否断电检测是上电复位是atmega 8
3、AVR系列单片机的FLASH 存储器、SRAM 存储器、EEPROM 存储器各有什么用途...FLASH:存储程序，表格数据；SRAM:程序运行时的临时数据，再次上电时不存在的数据；EEPROM:存储主数据，以及通电后仍然存在的数据。比如:FLASH相当于电脑的硬盘；SRAM相当于计算机的内存条；EEPROM相当于电脑的移动硬盘或者u盘。闪存:存储单片机运行程序的地方。SRAM:存储单片机运行过程中产生的临时数据。
4、Flash和RAM的区别是什么?Flash与RAM相比，读取性能基本相当。主要区别是不能随机写入，只能按块/扇区擦除。写入时，只能将“1”编程为“0”。此外，擦除和写入过程都需要很长时间。断电时闪存程序不会丢失。程序运行相对较慢，断电时ram的信息会丢失，但运行速度很快。第一，参照物不同。1.RAM:也叫主存，是直接与CPU交换数据的内部存储器。2.Flash: Flash 存储器(英文:flashmemory)，是一种电可擦可编程只读存储器，在操作过程中可以多次擦除或写入。
2.闪存:主要用于一般的数据存储以及计算机与其他数码产品之间的数据交换和传输，如存储卡、u盘等。3.原理不同1。RAM:当读或写存储器中的数据时，所需要的时间与这些信息所在的位置或写入的位置无关。相反，当在顺序存取存储设备中读取或写入信息时，所需的时间与位置有关。
5、到底什么是nand flash,nor flash,sdram,emmc,rom,ram简而言之，ram和d ram的关系是ram包括dram，ram又分为sram和dram。前者是静态ram，不需要刷新，速度快，容量小，成本高，老电脑用。后者是动态ram，需要刷新，速度慢，容量大，成本低，现代计算机使用。关系是:都是单片机系统存储器主要区别是用途不同:现在的单片机，RAM主要用于运行时数据存储器，
EEPROM主要用来保存一些程序运行时需要丢失的数据。具体如下:1。RAMRamdomAccessMemory易失性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，与地址无关，比如电脑内存。2.ROMReadOnlyMemory是只读的存储器。断电后信息不丢失，如电脑启动的BIOS芯片。访问速度非常低(与RAM相比)，无法重写。
6、 flash内存条与ddr的区别差1。功耗和发热量不一样:flash内存条耗电量大，ddr在控制成本的基础上降低了能耗和发热量。区别二:工作频率更高:flash内存条能耗更高。DDR由于能耗更低，可以实现更高的工作频率，一定程度上弥补了延迟时间长的问题。区别三。不同的数据处理:flash内存条数据删除不是基于单个字节，而是基于固定的块。块大小通常为256KB至20MB，闪存为电可擦只读存储器(EEPROM)。
7、单片机eeprom flash 存储器具体区别eeprom主要是断电后不会消失。比如用单片机测量a 参数，这个数下次开机就能用了，所以要放在eeprom里。两者都是非易失性的存储器FLASH的全称是FLASHEEPROM，但是FLASH和EEPROM最大的区别是FLASH是按扇区操作的，而EEPROM是按字节操作的。寻址方式不同，存储单元的结构也不同。FLASH的电路结构简单，同样容量占用芯片面积小。成本自然比EEPROM低，适合作为程序使用存储器，而EEPROM更多的是作为非易失性数据使用存储器。
8、Flash 存储器的介绍FLASH FLASH FlashMemory的英文名是FLASH memory，属于一种存储器件，是一种非易失性存储器。闪存的物理特性与普通内存有着本质的区别:目前各种DDR、SDRAM或RDRAM都属于易失性内存，只要停止电流供应，内存中的数据就无法维持，所以每次开机都需要将数据重新载入内存。
