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光敏电阻的主要参数和基本特性,下列哪一项不是光敏电阻的主要参数

来源:整理 时间:2024-02-18 05:30:06 编辑:一表 手机版

光敏 电阻Main参数1)Light电阻(kω):指光敏-1。光敏-1光敏电阻,又称光电阻,光导体和光导管,是一种利用光导效应的特殊/,光敏 电阻?光敏 电阻的工作原理是基于内部光电效应,光敏 电阻的工作原理是基于内部光电效应。

 光敏二极管与 光敏 电阻有何区别

1、 光敏二极管与 光敏 电阻有何区别?

1、电阻不同于光敏二极管、光敏 电阻测量时,没有正负之分,而是有两面电阻。2.光电效应不同光敏 电阻与光敏二极管相比,光敏 电阻内部的光电效应与电极无关,但与光电二极管有关,即可以使用DC。3.温度影响不同光敏-1/受温度影响较大,反应速度不快。从ms到S,延迟时间受入射光照度的影响,而光电二极管没有这个缺点。光电二极管的灵敏度比是光敏-1。

光照时 光敏 电阻阻值为什么减小

光敏 电阻在一定的外加电压下,有光照射时,流过其中的电流称为光电流,外加电压与光电流的比值称为亮度电阻,常表示为“100LX”。2、暗电流,暗电阻。光敏 电阻在一定的外加电压下,没有光照时,流过的电流称为暗电流。外加电压与暗电流的比值称为dark 电阻,常表示为“0LX”(光的强度用照度计测量,单位为Laxlx)。3.敏感。

为什么要测电光、光电器件的IP和PI 特性

2、光照时 光敏 电阻阻值为什么减小

光敏电阻是半导体材料。没有光的时候,载流子很少,导电性差。随着光照的增强,载流子增加,电导率增加。你发错版本了,以后应该是工科或者物理发的。电阻值降低只是因为电阻 特性,其电阻值与入射光量有关,而与电压和电流无关,也就是说,是为了发现降低的电阻值而通过测试得到或发现的。光敏 电阻的工作原理是基于内部光电效应。电极引线安装在半导体光敏材料两端,封装在带透明窗口的管壳内,形成光敏 电阻如图所示。

构成光敏 电阻的材料包括金属硫化物、硒化物、碲化物等半导体。半导体的导电性取决于其导带中载流子的数量。当光敏 电阻被照射时,价带中的电子吸收光子能量后跳到导带,成为自由电子,同时产生空穴。电子空穴对的出现使得电阻的比值变小。光越强,光生电子-空穴对越多,电阻越低。在光敏 电阻两端施加电压时,流过光敏 电阻的电流随着照度的增加而增加。

3、为什么要测电光、光电器件的I-P和P-I 特性

其内部结构与普通PN结晶体管不同。属于PIN结型,即在P和N之间加入基区I,形成PIN结。因为基区很薄,反向恢复电荷很小,所以PIN二极管的反向恢复时间短,正向电压降低,反向击穿电压高。其内部结构不同于普通PN结管,属于PIN结型,即在P和N之间加基区I,形成PIN结。由于基区很薄,反向恢复电荷很小,PIN二极管反向恢复时间短,正向电压降低,反向击穿电压高。

正常情况下,自由电子和空穴的形成和复合处于动态平衡。电子要想克服原子的束缚,成为自由电子,就必须吸收能量,而光照可以为电子提供能量,增强其脱离原子束缚的能力。原有的动态平衡被打破,自由电子和空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体中形成自由电子-空穴对。扩展信息:光敏 电阻,光敏 电阻无光照时电阻有光照时数值比较高。

4、 光敏 电阻?

光敏电阻器件又叫光敏性电阻,是一种利用半导体的光电效应制成的电阻器件,其值随入射光的强度而变化-。入射光强度电阻减小,入射光弱电阻增大。光敏 电阻该器件一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转化为电的变化)。光敏 电阻的工作原理是基于内部光电效应。电极引线安装在半导体光敏材料两端,封装在带透明窗口的管壳内,形成光敏 电阻如图所示。

构成光敏 电阻的材料包括金属硫化物、硒化物、碲化物等半导体。半导体的导电性取决于其导带中载流子的数量。当光敏 电阻被照射时,价带中的电子吸收光子能量后跳到导带,成为自由电子,同时产生空穴。电子空穴对的出现使得电阻的比值变小。光越强,光生电子-空穴对越多,电阻越低。在光敏 电阻两端施加电压时,流过光敏 电阻的电流随着照度的增加而增加。

5、 光敏 电阻是什么? 光敏 电阻的概述

光敏电阻,又称光电阻,光电导体,光导管,是利用光电导效应的专用电阻,其。当光强增加时,电阻减小;当光线强度降低时,电阻增加。当有光照射时,原本处于稳定状态的电阻中的电子被激发,成为自由电子。所以光越强,产生的自由电子就越多,那么电阻就会越小。暗电阻:当电阻处于无光状态(室温)时,此时电阻的值称为暗电阻(当电阻)

光电流亮电流暗电流扩展数据的优点内部光电效应与电极无关(只与光电二极管有关),即可以使用交流电源。灵敏度与半导体材料和入射光的波长有关。缺点受温度影响较大。响应速度不快,延迟时间受us和ms之间入射光的照度影响(光电二极管没有这个缺点,光电二极管的灵敏度比是光敏 电阻高)。

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6、 光敏 电阻 特性

光敏电阻(光电池,注:photovoltaiccell),又称光敏电阻device(Photostoreorlight device,后者缩写为ldr或光导体,常用的材料有硫化镉,还有硒、硫化铝、硫化铅、硫化铋。这些材料的电阻值在特定波长的光照射下迅速降低。

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光敏 电阻该器件一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转化为电的变化)。常用的光敏 电阻硫化镉光敏 电阻器件由半导体材料制成。光敏 电阻器件的电阻值随入射光(可见光)的强度而变化。在黑暗条件下,其电阻值(暗电阻)可达1~10M欧姆,在强光条件下(100LX),其电阻值(明电阻)仅为几百到几千欧姆。

7、 光敏 电阻器的主要 参数

1) On 电阻 (kω):指器件受光照时光敏 电阻的值。2)暗电阻 (mω):指器件在无光照(黑暗环境)下照射时光敏 电阻的值,3)最大工作电压(V):指光敏 电阻器件在额定功率下的最大允许电压。4)亮电流:指光敏 电阻器件在规定的外加电压下受光照射时通过,5)暗电流(mA):指光敏 电阻器件在无光照时,在规定的外加电压下通过的电流。

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