晶体管mdp8n60的参数、2n60c有什么替代？2n60c可由K2645、K719、K794或fqp4n60c、fqp5n60c等替代。晶体管2n60c为VMOS场效应晶体管，漏电流为2A，耐压600V，8N60是大功率MOS管，Id为8A，耐压600V，2N60也是MOS管，耐压600 V，但Id只有2A。
不能直接替换。虽然都是高背压的晶体管，但是它们的参数却大不相同。2N60是MOS场效应晶体管，13007是三极管。他们的驾驶方式不一样！如果一定要替代，又不能说不，那么原有的电路会有很大的改变，会很麻烦。它是不可替代的。2N60是场效应管，13007是功率管。2N60是一种场效应晶体管。不是，2N60是场效应晶体管，压控13007是三极管。电流控制驱动电路的原理不同，晶体管的工作点也不同。如果是开关电源用的开关晶体管，业余条件下替代问题不大，但是要增加基极驱动电阻，否则驱动IC损耗会增加，长时间工作IC会被烧坏。当使用场效应晶体管时，应该增加驱动电阻。
2n60c可替换为K2645、K719、K794或fqp4n60c、fqp5n60c等。晶体管2n60c为VMOS场效应晶体管，漏电流为2A，耐压600V。需要更换时，会考虑性能、外部尺寸的所有方面。只要考虑耐压、电流、功率，一般都可以进行更换(排输出管外形尺寸差不多)，功率往往更大更好。虽然更换MOS管也是这个原理，但是最好还是用原来的型号，尤其不要追求更高的功率，因为高功率会导致输入电容更大，更换后会和激励电路不匹配。激励灌注电路的充电限流电阻的阻值与MOS管的输入电容有关。
3、三极管mdp8n60的 参数,,,可代SVF2N60F吗和耐压一样，同类型的三级管可以直接换成大工作电流和小工作电流。另一方面，把工作电流小的换成工作电流大的可能就不能正常工作了，8N60是大功率MOS管，Id为8A，耐压600V。2N60也是MOS管，耐压600 V，但Id只有2A，如果电流不大，可以更换。
