G80N60 FET的工作原理和参数G80N60的比值是600V80A320W。80N60C只要能耐压到600 v id 80 a就可以用，G80N60的输出受什么影响？非常适合用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT(绝缘栅双极晶体管)是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的全控电压驱动型功率半导体器件，具有MOSFET输入阻抗高、GTR导通压降小的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1示出了N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构。N 区称为源区，附着其上的电极称为源极。N 区域被称为漏极区域。器件的控制区是栅极区，附着其上的电极称为栅极。沟道形成在栅极区域的边界附近。漏极和源极(形成沟道的地方)之间的P型区(包括P 和P-1区)称为子区。
2、G80N60场效应管的工作原理及 参数G80N60是600V80A320W。80N60C只要能承受600 v id 80 a的电压就可以用，场效应晶体管(FET)是场效应晶体管的简称，多数载流子传导也称为单极晶体管。属于压控半导体器件，具有高输入电阻(10 ^ 7 ~ 10 ^ 12ω)、低噪声、低功耗、动态范围大、易于集成、无二次击穿现象、安全工作区宽等优点，成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
